教程
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AB类PA设计（二）：体硅CMOS工艺特性与MOS管尺寸和偏置选择
AB类功率放大器设计系列教程第二章：分析体硅CMOS工艺的低阻衬底损耗机制、寄生电容及fT与fmax的定义与工作频率裕度，讨论器件击穿电压与安全工作区的约束，并基于负载线理论给出65nm体硅工艺下功率MOS管尺寸与栅极偏置的确定方法及设计流程。
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AB类PA设计（一）：功率放大器核心指标的定义与架构选择
AB类功率放大器设计系列教程第一章：阐明AB类工作状态在效率与线性之间的折中机理，以公式定义输出功率、功率附加效率、增益、P1dB、OIP3与EVM等核心指标，比较单端与差分架构及驱动级与功率级的增益和功率分配，并给出28GHz、65nm CMOS两级全差分功率放大器的设计指标。